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CVD
Chemical Vapour Deposition, Beschichtungsverfahren, bei dem die Schicht durch Zersetzung einer gasförmigen Verbindung abgeschieden wird (z. B Abscheidung eines Metalls durch thermische Zersetzung einer flüchtigen Verbindung des Metalls). CVD-Prozesse können durch Plasma unterstützt (PECVD = Plasma Enhanced CVD) oder ausgelöst (PACVD = Plasma Activated CVD) werden. Bedeutende Anwendungen von Plasma-CVD-Prozessen sind amorphe Kohlenstoff- und Silicium-Schichten sowie Titannnitrid-, Titancarbid- oder Siliciumnitrid-Schichten.
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